真明丽推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50
摘要： 随着LED照明进入市场，高功率LED的散热问题越来越受到重视，因为过高的温度会导致LED发光效率降低，并且会影响产品的生命周期、发光效率、稳定性，甚至对LED的寿命造成致命性的影响。而研究表明陶瓷基板线路对位精确度高，并且陶瓷基板具有与晶片有着接近的热膨胀系数与高耐热能力，有效的解决了热歪斜与高温制程。
传统晶片与Flip chip结构对比
覆晶型(Flip chip)晶片的优势在于：
1. 晶片出光效率比传统晶片高;
2. 热阻低，散热好，光衰小;
3. 不用Bond Wire，可靠性高;
4. 可大电流驱动与冲击，高电流状态下仍有较好的出光效率
图五：常规晶片和覆晶晶片不通电流测试光通量倍数变化状况
第三种制程如下：
此种制程区别于前两种制程最大的不同是采用了Flip chip制程，此种制程采取了倒装结构的晶片，这大大的提高了晶片的出光效率。同时由于采用了倒装晶片，这取消了Bond Wire 环节消除了LED使用过程中连接晶片的引线开路的风险;同时由于采用的是AuSn共晶制程，这大大的降低了晶片到散热基板之间的热阻以及LED工作时的结温Tj，从而提高LED的可靠性以及寿命。
一般而言，LED发光时所产生的热能若无法导出，将会使LED结面温度过高，进而影响产品生命周期、发光效率、稳定性。
通过前面的叙述，可知LED封装的方式与材料搭配对LED的可靠性与寿命有着密切的联系，为了提高产品的可靠性及寿命，真明丽当前功率型LED封装主要采用Ceramic+filp chip模式。
制程工艺如下：
内部结构及外观如图：
图六：真明丽ceramic+filp chip产品
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