真明丽Ceramic+filp chip产品介绍

　　通过前面阐述，LED热阻及结温是影响LED出光效率及寿命的两个关键因素，相反的，当LED的热阻降低以及LED工作时结温较低时，LED将拥有更好的出光效率以及更长的寿命。因此要提高LED的出光效率以及降低热阻及结温以便提高LED的可靠性上面，必须寻找一种有着高导热系数以及与晶片近似的热膨胀系数的材料作为LED散热基板成为了一种研究方向。同时由于LED产生的90%热量都是向下走，基于散热考虑，研究表明陶瓷基板线路对位精确度高，并且陶瓷基板具有与晶片有着接近的热膨胀系数与高耐热能力，有效的解决了热歪斜与高温制程，为业界公认导热与散热性能极佳材料，被大量的使用于功率型LED。

　　当前主流的Ceramic产品几种常见制程介绍：

　　第一种如下：

　　此种制程方式制备的LED与传统的方式几乎一致，不同的是传统大功率采用的是金属热沉，而这里采用的是陶瓷散热基板，很重要的白光制程依然采用传统的点胶方式。

　　第二种如下：

　　此种方式制备的LED引入了与传统点胶制程不同的喷粉制程，喷粉制程对白光的一致性以及光源出光效率及光斑效果均有一定改善与提升。

　　以上两种制程方案始终没有在焊线制程做出改变，经过长期的研究与分析，Bond Wire结构模式在很大程度上影响LED的可靠性。当前LED死灯原因大致可分为两种：一种是晶片本身失效，造成此类原因有静电击穿、漏电、散热不良等;另一种则是连接晶片的导线(金线)开路，造成此类原因很大程度上是由于Bond Wire过程中留下的隐患以及Bond Wire本身的结构缺陷造成，如：焊线参数不当，瓷咀使用时间过长或发生破损不被及时发现等等。

　　同时因为LED是不同材料组合一起的封装体，在比较恶劣的环境下(如我国北方地区昼夜温差较大)使用时会因各个材料的热膨胀系数不同以及附着能力的影响造成LED引线断开造成开路引起LED失效。

　　基于改善上述两个方案最大的不足，下面引入一个新制程方案。

　　Flip chip介绍

　　LED封装技术主要是往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化发展。从晶片来看，目前最普遍的是水平式晶片,水平式LED使用蓝宝石基板，散热能力较差，且在高电流驱动下，光取出效率下降幅度也较大。而比较高端的厂商则研发垂直式晶片与覆晶型晶片，覆晶型晶片为缩短晶片到基板的距离创造了条件，同时采用的是AuSn合金共晶，这大大的减小了晶片到散热基板之间的热阻，从而提高LED的可靠性。