芯片材料

　　目前国内企业及科研机构已经实现在不同衬底(Al2O3、Si、SiC、AlN)上外延生长GaN材料，并已开发出图形化衬底外延、非极性或半极性外延、衬底转移、激光剥离、共晶焊接、ITO电极、表面粗化和光子晶体等产品和技术。

　　在提高内量子效率和外量子效率方面，我国也取得较大进展。目前已研发出AlGaN深紫外(260nm-400nm)发光二极管，以及1W的LED蓝光芯片，白光LED的发光效率超过80lm/W，并研制出四元系AlGaInP红光功率LED器件，发光效率约40lm/W。

　　然而，我国超高亮度芯片以及高亮度蓝绿芯片产品技术仍有待进一步提高，国内该类芯片仍主要依靠进口。

　　由于外延片和芯片生产环节联系紧密，行业内的多数企业在从事外延片生产的同时也进行芯片产品的生产。截止到2013年年底，我国(不包括台湾地区)涉及LED外延/芯片的企业有近百家。

　　在外延/芯片环节，由于近两年新建项目的陆续投产，区域分布呈现多地开花、分散发展的趋势。其中，长三角地区企业数量超过30家，超过总数的1/3。

　　制备材料

　　LED制备材料主要指LED生产中需要用到的光刻胶、高纯化学试剂、高纯电子气体、靶材和抛光材料。

　　我国LED领域光刻胶还处于产业化阶段初期，国内能够大批量生产的光刻胶包括紫外负性光刻胶、紫外正性光刻胶(G、I线胶)和TN-STN光刻胶等。然而，高端生产用光刻胶还需要依赖进口。

　　在高纯化学试剂领域，国内的产业化技术水平基本能够满足LED生产要求。

　　在高纯电子气体领域，国产的6N高纯氨已大量用于LED行业，取得了一定进展，但特种电子气体方面整体技术水平与要求还有较大差距，高端核心技术和产品市场仍被国外把控。

　　在靶材领域，中国产业化技术水平和产品质量发展较快，基本实现了进口替代，存在突出问题是靶材主要原材料仍然依赖进口。在抛光材料领域，中国基本能够生产LED领域蓝宝石用抛光液和硅、化合物半导体衬底材料用抛光液及水溶胶纳米磨料等，但在CMP工艺用其他抛光液、抛光液用核心基础原材料等还依赖进口。

　　据不完全统计，目前中国从事光刻胶、高纯化学试剂、高纯电子气体、靶材和抛光材料的企业有31家，主要以合资和民营企业为主，企业主要分布在长江三角洲和京津环渤海地区。国有及国有控股企业虽然数量上不及合资和民营企业，但产品销售收入和从业人员处于绝对优势。

　　深陷产业链低端

　　从2010年到2012年这短短3年间，LED芯片产能扩张超过10倍，导致了LED材料产业产能严重过剩。2014年，受下游应用市场带动，大部分LED材料企业整体向好，MOCVD产能利用率上升至52%，开机率上升到70%左右，平均产能利用率较前两年大幅度提高。

　　随着市场的向好，以三安光电、华灿光电等为首的国内LED领军企业纷纷开启了新一轮的扩产，而且新增产能一举超过了其本身的原有机台数，未来LED材料产能过剩问题依然不容乐观。LED材料产能过剩，加剧了企业之间的无序竞争，虽然行业市场继续增长，整体盈利却在下滑，价格战愈演愈烈。LED芯片价格大幅度降低，有的降幅甚至达到了50%，LED材料小企业纷纷寻求并购和合作，更有甚者已经停产，准备退出这一领域。