基于不同的核心竞争力，我们认为对LED上下游的投资策略非常不同：上游的高不确定性更适合风险投资(Venture Capital)，而中下游则更适合PE投资(Growth Capital)或产业资本。

　　上游:技术制胜，不确定性大

　　技术进步是持续的过程，有些仅仅是改良，有些则是颠覆性的。LED上游环节之所以风险大，就是因为技术还不成熟，而技术上的革命往往意味着现有技术的失败。

　　截至2007年底，内地拥有的MOCVD数量达到80台，估计2008年新增约40台，而据各大厂商投资计划，2009年可能再增加60台。尽管设备数量增加，但主要承担生产任务，企业大多宁愿买设备也不愿意在研发上有更多投入。

　　由于企业不愿意承担基础性研究，中国LED材料的基础研发任务更多由大学和科研院所承担。单打独斗的科研单位都想将自己的成果产业化，结果经常是重复建设，效率低下。相比之下，中国台湾工研院组织集中规划科研方向和进度，效果显著。目前国内研究进展较快的是南昌大学和哈尔滨工业大学。

　　南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心，由江风益教授领衔，在GaN基LED的Si衬底开发上取得了突破进展，并组建了晶能光电有限公司，从事外延材料与芯片的生产。公司称其芯片具有抗静电性能好、寿命长、承受电流密度高、封装工艺简单等特点，863专家组的评价是：“打破了目前日本日亚垄断蓝宝石衬底和美国Cree垄断碳化硅衬底的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底三足鼎立的局面”。实际上，目前其Si衬底LED产品的输出功率仍然很低，还无法向蓝宝石发出真正挑战，但晶能光电公司仍然在2006和2007年成功完成了两轮私募，总融资额5200万美元。GSR、MayfiELd、AsiaVest、Temasek等投资机构就是把宝押在了技术的进一步突破上。

　　借鉴前苏联专家的技术路线，哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)，成功制备了大尺寸蓝宝石晶体，结束了中国蓝宝石衬底片依赖进口的历史。2006年4月，研发人员与研究所、哈工大实业开发总公司共同创建了奥瑞德光电技术有限公司。2008年6月，该公司又成功地生长出Φ320×300mm、重68.58公斤的光学级蓝宝石单晶，这是目前世界上最大的泡生法生长出来的蓝宝石单晶。