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bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.（tdi）日前宣布，该公司推出4英吋，约100毫米的GaN磊外延片和al
https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
2011年6月11日，“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博
https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21
唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营，或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制，较大部分芯片资源来自集团外部，因此成本不具竞争力，在韩系三巨
https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36
https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55
光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介
https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05
英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化镓(ga
https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40
硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
