【ALLS视频】王成新：大功率GaN LED技术
2011-08-08
作者：LEDth
来源：新世纪LED网
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摘要： 2011年6月11日，“亚洲LED照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博士发表了《大功率GaN LED技术》的专题演讲。
王成新博士首先向我们介绍了大功率GaN LED的外延技术，认为LED材料发展正面临以下三个需求：
1、进一步提高LED材料晶体的质量，降低位错密度;
2、进一步优化外延结构设计，提高发光效率，抑制Droop效应;
3、提高P型材料质量，降低在位生长表象粗糙化的P型材料技术的成本。
……
现场演讲视频：
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