GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
2009-12-21
作者：admin
来源：广东半导体照明工程省部产学研创新联盟
浏览量：
网友评论：
0
条
摘要： 采用 X 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-LED 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2LED 器件进行可靠性试验 。对比分析表明 。
采用 X 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-LED 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2LED 器件进行可靠性试验 。对比分析表明 。
凡本网注明“来源：阿拉丁照明网”的所有作品，版权均属于阿拉丁照明网，转载请注明。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
最新评论
用户名： 密码：
