Bridgelux募集6000万美元用于GaN外延技术研发
2011-08-08
作者：ledth
来源：新世纪LED网
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摘要： Bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如Si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。据Bridgelux估计，扩展市场后，明年销售额将3倍于今年，达到30亿美元。用于Si衬底上GaN外延技术研发。
Bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如Si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。据Bridgelux估计，扩展市场后，明年销售额将3倍于今年，达到30亿美元。用于Si衬底上GaN外延技术研发。
从2002年至今，Bridgelux已经获得总数达到1.8亿美元的风险投资。
最初，Bridgelux的主要研发精力集中在基于ITO/InGaN技术的功率型LED芯片设计和制造上。后来，公司研发策略发生了变化，2009年1月，Bridgelux推出了他们第一个LED阵列产品，随后在2009年5月开发了一系列固态照明设计和元器件支撑。2010年3月，联合Molex公司研发了即插即用的耐用照明模块，专门为工厂和商业大厦的业主使用。到了2011年5月，Bridgelux又推出了第三代LED阵列。
文章来源：半导体照明网
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