2011年6月11日，“亚洲LED照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博士发表了《大功率GaN LED技术》的专题演讲。

　　王成新博士首先向我们介绍了大功率GaN LED的外延技术，认为LED材料发展正面临以下三个需求：

　　1、进一步提高LED材料晶体的质量，降低位错密度;

　　2、进一步优化外延结构设计，提高发光效率，抑制Droop效应;

　　3、提高P型材料质量，降低在位生长表象粗糙化的P型材料技术的成本。

　　然后，王成新博士重点阐释了大功率GaN LED的管芯技术，指出应该使用Flip-chip+出光面(衬底)图形化技术、TFFC+表面粗化技术、光子晶体+PSS外延技术等多种方式提高光萃取效率，同时，正装与垂直结构在大功率LED上各有优缺点，但由于散热、Thin Chip等技术，垂直结构在大电流、超大电流的工作条件下有较大优势，是未来发展的主要方向，但也需提高良率，降低成本。

　　最后，王先生分析了Sic衬底-GaN LED技术，对在Sic衬底上生长GaN的进展做了简单回顾，并总结得出以后的研发方向当是通过Sic衬底剥离技术、倒装LED技术、Thin chip技术等提高大功率GaN LED管芯技术，使实验室水平在未来12至18个月内达到130lm/w的目标。