阿拉丁照明网首页| 绿色| 检测认证| 古建筑| 道路| 酒店| 店铺| 建筑| 家居| 办公| 夜景| 娱乐| 工业| 博物馆| 体育| 公共 登录 注册

当前位置:首页 > 要闻 > 正文

TDI宣布量产4吋GaN磊外延片和AlN磊外延片

2007-09-07 作者: 来源:ledinside 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 美国化合物半导体衬底大厂Technology and Devices International Inc.(TDI)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的GaN磊外延片和AlN磊外延片,已经正式投入量产,不久将正式出货。

  美国化合物半导体衬底大厂Technology and Devices International Inc.(TDI)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的GaN磊外延片和AlN磊外延片,已经正式投入量产,不久将正式出货。

  TDI指出,他们采用独具专利的氢化物汽相外延法(HVPE),使用位于Silver Spring, MD的多芯片生产设备生产这些磊外延片。

  GaN磊外延片含有一个7~12微米厚的GaN层,该GaN层附着在(0001) c-plane四英寸蓝宝石衬底上。这些GaN磊外延片适用于低缺陷衬底,用来生产高亮度蓝色、绿色和白色GaN基发光二极体(LEDs)。

  AlN磊外延片包含一个10~30微米厚的AlN绝缘层,该绝缘层附着在(0001) 4英寸金刚砂衬底上。这些AlN磊外延片适用于低缺陷的绝缘层,用来生产高能AlGaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)。

  TDI总裁兼首席执行官Vladimir Dmitriev表示,「开发GaN基器件,幷把GaN基器件推广应用于较大衬底,已成为当今产业的一个趋势。TDI客户已把目光从标准的2吋外延片投向3吋和4吋磊外延片。不过,TDI已做好了准备,增加了生产设施和镀膜设备,开始大批量生产4吋(100毫米)GaN磊外延片和AlN磊外延片。」

  Vladimir Dmitriev接着说,「目前,TDI在100毫米GaN 和AlN氢化物汽相外延法(HVPE)生产流程和设备方面,占有领先的优势,TDI计划在2008年推出6吋磊外延片。批量生产大尺寸低成本的GaN 和AlN衬底将使我们的客户大大受益,节约材料,降低成本。」

  关于TDI

  TDI是一家新型化合物半导体衬底开发商,涉猎范围包括GaN, AlN, AlGaN, InN, 和InGaN等。TDI开发且推广了一系列化合物半导体材料,主要应用于固体照明设备、短波光电产品、RF电力电子产品等。(编辑:ZQY)

凡本网注明“来源:阿拉丁照明网”的所有作品,版权均属于阿拉丁照明网,转载请注明。
凡注明为其它来源的信息,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
| 收藏本文
最新评论

用户名: 密码:

本周热点新闻

灯具欣赏

更多

工程案例

更多