北京大学张国义教授：《GaN同质外延和竖直结构大功率LED》
摘要： 2011年6月10日，”亚洲LED照明高峰论坛 -- LED光品质研究"专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。北京大学宽禁带半导体研究中心主任张国义教授发表了主题为《无荧光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率LED”的理论、技术与优势等相关各个方面的介绍。
2011年6月10日，”亚洲LED照明高峰论坛 -- LED光品质研究"专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。北京大学宽禁带半导体研究中心主任张国义教授发表了主题为《无荧光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率LED”的理论、技术与优势等相关各个方面的介绍。
综述此次精彩演讲，张主任主要提出了以下四个重要结论：
1、竖直电极结构LED优于传统的平面电极结构：提高出射效率、简化设备等，更利于降低成本同时提高质量和生产效率。因此，由平面向竖直结构的转变是LED发展的主流趋势。
2、同质外延优于异质外延。衬底与外延层都使用同种材料的同质外延发光器件具有更优异的光电性质，能解决异质外延所造成的光效缺陷。其中，制造复合衬底GaN/Al2O3便是科学技术研发的关键，它能降低成本，利于大规模生产。而异质外延向同质外延的转变也是LED发展的世界趋势。
3、全固体微区激光剥离技术优于大面积标准激光剥离。
4、厚膜竖直结构优于薄膜竖直结构。
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