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使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
随着科学技术的进步,光学薄膜及相关技术不论从广度还是深度来看都得到了显著发展,并逐渐渗透到现代技术和高端技术等领域。对光学薄膜的3种制备技术:物理气相学沉积(pvd)、化学气相沉
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125859.htm2013/3/19 10:51:49
