双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性
|
上传人：陈献文.吴乾,李述体,郑树文,何苗,范广涵,章勇 上传时间： 2011-09-05 浏览次数： 159 |
| 作者 | 陈献文.吴乾,李述体,郑树文,何苗,范广涵,章勇 |
|---|---|
| 单位 | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州鸿利光电股份有限公司 |
| 分类号 | O472.8 |
| 发表刊物 | 光子学报 |
| 发布时间 | 2011年02期 |
引言
近年来,GaN基白光发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)因其使用寿命长、高效节能、绿色环保等优点被誉为继白炽灯、荧光灯、气体放电之后的第四代照明光源,被广泛应用于液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)、手机、数码相机等领域.随着以白光LED为主的半导体照明产……
最新评论
用户名： 密码：
