Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备
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上传人：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国 上传时间： 2011-08-15 浏览次数： 216 |
| 作者 | 汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国 |
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| 单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 分类号 | O484 |
| 发表刊物 | 中国科学E辑 |
| 发布时间 | 1998年01期 |
氮化镓室温下的直接能带隙宽度是3.39eV,它能应用于制作蓝光、紫光、紫外光二极管和激光管等发光器件和高温电子器件[1～3],因此近年来ⅢⅤ族氮化物材料已成为半导体材料领域的热点之一,由于使用氮化镓或氮化铝缓冲层,外延氮化镓薄膜的质量显著改进[4,5].对掺镁氮化镓进行……
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