腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响
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上传人：赵广才,李培咸,郝跃 上传时间： 2011-07-22 浏览次数： 277 |
| 作者 | 赵广才,李培咸,郝跃 |
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| 单位 | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室; |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 《发光学报》 |
| 发布时间 | 2010年 |
引言
与第一代半导体材料锗、硅以及第二代半导体材料砷化镓、磷化铟相比,宽禁带半导体材料GaN由于其在短波发光器件所取得的举世瞩目的进展及其在制作光电子器件和高频、高温大功率器件方面所具有的广阔前景,已经成为半导体领域的研究热点。它与金刚石、碳化硅等宽禁带半导……
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