氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展
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上传人：陈洪建,张维连,陈贵峰,李养贤 上传时间： 2011-09-13 浏览次数： 116 |
| 作者 | 陈洪建,张维连,陈贵峰,李养贤 |
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| 单位 | 河北工业大学半导体材料研究所 |
| 分类号 | TN304.054 |
| 发表刊物 | 河北工业大学学报 |
| 发布时间 | 2007年02期 |
GaN是继第一代以硅为代表的半导体材料和第二代以砷化镓(GaAs)为代表的半导体材料之后,迅速发展起来的第三代半导体材料.硅基半导体材料已经成为微电子大厦的基石.然而硅基半导体材料本身的间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光通信为基础的信息高速……
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