低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs GaSb超晶格材料表面形貌的影响
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上传人：吴雷学、汪韬、王警卫、李晓婷、景争、尹飞、梅书刚 上传时间： 2013-04-18 浏览次数： 30 |
摘要：采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77K下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500℃～520℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
0引言中红外波段(2~5μm)是光学技术中非常重要的波段,在环境监控、痕量气体探测、长距离超低损耗光纤通讯、激光雷达以及红外对抗等方面有广泛的应用[1-5].近年来,中远红外波段的半导体材料和器件激起了研究人员的强烈兴趣.Ⅱ-Ⅵ族化合物MCT(HgCdTe)是目前制作中红外器件最
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