提高GaN基发光二极管外量子效益的途径
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上传人：李为军 上传时间： 2009-09-14 浏览次数： 149 |
发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基LED 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(DBR)结构， 改变LED 基底几何外形来改变光在LED 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与SU8 相结合技术在提高LED外量子光效益方面进行了初步探索。
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