制造垂直结构LED芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构：

　　不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反射层上。

　　剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。

　　另外，生长在硅片上的垂直GaN基LED也有两种结构：

　　不剥离硅生长衬底：在导电硅生长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射层，生长氮化镓基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。

　　剥离硅生长衬底：层迭金属反射层在氮化镓基LED外延层上，在金属反射层上键合导电支持衬底，剥离硅生长衬底。

　　再简单说明制造垂直氮化镓基 LED 工艺流程：层迭反射层在氮化镓基 LED 外延层上，在反射层上键合导电支持衬底，剥离蓝宝石生长衬底。导电支持衬底包括，金属及合金衬底，硅衬底等。

　　无论是GaP基LED、GaN基LED，还是ZnO基LED这一类通孔垂直结构LED，相比传统结构LED有着较大的优势，具体表现在：

　　1、目前，现有的所有颜色的垂直结构LED：红光LED、绿光LED、蓝光LED及紫外光LED，都可以制成通孔垂直结构LED有极大的应用市场。

　　2、所有的制造工艺都是在芯片（ wafer ）水平进行的。

　　3、由于无需打金线与外界电源相联结，采用通孔垂直结构的 LED 芯片的封装的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件，如背光源等。