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本文简单介绍：垂直结构led芯片以及制造垂直结构led芯片技术主要有三种方法；
https://www.alighting.cn/resource/20090112/128657.htm2009/1/12 0:00:00
由于蓝宝石基板的导热系数差，影响led的发光效率。为了解决led的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构led的架构，促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有
https://www.alighting.cn/resource/2009113/V18589.htm2009/1/13 10:28:49
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
具有垂直结构的发光二极管(led)在固态照明产品应用中是非常有前景的一种器件，因为它们可以承受大的驱动电流来提供高的光输出强度。制造这种形式的led 需要采用晶圆- 晶圆间的键
https://www.alighting.cn/resource/20111202/126822.htm2011/12/2 17:59:24
algainp四元系发光二极管一般使用gaas衬底，由于gaas衬底的禁带宽度比algainp窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸光，
https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00
有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测试。结果表明: 在110ma 注入电流下, 垂直结构器件的开启电压由普通结构的3. 68v 降低到了3. 27
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
