在日前(厦门)LED室内照明产业技术发展论坛上，中科院半导体研究所所长李晋闽介绍了我国在半导体照明领域取得最新进展，据了解，我国在具有自主知识产权的关键设备MOCVD、HVPE以及在LED器件如深紫外LED等都取得了重大进展。采用国产MOCVD设备制造了蓝光LED芯片在20mA驱动电流下发光功率达到8.3mW,达到了国际先进水平，中科院半导体所设计的国产48片MOCVD机已经完成组装，已进入设备调试阶段。而HVPE设备有可能成为未来半导体照明的核心装备，目前也正在积极发展之中。另外中科院半导体所在深紫外LED、垂直结构LED芯片、纳米图形衬底等都取得了重大进展。尤其是在深紫外LED领域，不仅可以应用于照明领域，在生物领域也有很大的发展空间，采用深紫外LED对细菌杀菌率达到了90%以上。然而，李所长也提到，目前我国在LED照明关键领域仍然面临诸多问题和挑战：研发投入不够，力量分散，资源不能共享以及低水平建设突出等等。

　　IEC国际标准项目组组长牟同升教授则认为对于照明光源而言，各种光污染已经影响到了人类健康。而LED作为无频闪、无紫外线辐射、无电磁波辐射、较低热辐射等特性，使之成为真正的健康光源。同时，LED具有多色彩、智能化的优点，可以实现不同环境下照明应用，非常适合室内对于照明的需求。

　　国家半导体照明产业联盟副秘书长阮军则指出，2010年我国LED产业整体规模已经达到1200亿元，未来5年仍然会以超过30%复合增长率增长，预计到2015年，我们LED产业规模将达到5000亿元。但目前我国LED企业规模小且分散，产业虽大但不强。因此，需要从国家层面进行统筹协调，加大对关键领域的投入来面对来自国际化的竞争。

　　而台湾晶电王希维则分享关于LED在背光、通用照明领域发展趋势的观点。他认为，目前LED业者在LED向背光领域渗透过程中已经积累较多关于如何提升性能、降低成本等领域的经验。而对于固态照明时代的到来，对于LED来说，挑战不仅仅是在于lm/W(光效)，同时也仰赖于lm/$(成本)，当成本达到500lm/$时，将会启动LED照明爆发式增长。而基于目前LED行业投入和技术发展来看，这一时间节点有望在2012-2013年间实现。