另值得关注的是高电压LED，相较于直流方案，高压电方案可减少发光效率下降，且采行更高效率的驱动器，加上不会出现交流电方案的故障弊病，以及制造成本低和生产容易性，将成为最容易达成高性价比LED灯泡的方案。洪详竣指出，高电压LED主要瞄准室内照明，将有利于简化LED与电源转换器的设计。

　　现阶段，众多LED晶片商正试图藉由增加AIGalnP中的红光LED实现高演色性，洪详竣说明，相较于蓝光LED混合萤光粉的暖白光方案演色性达82%，混合红光LED的暖白光演色性可高达90%，因此将为市场主流。现今，红光LED发光效率已达每瓦180流明、蓝光LED已达每瓦162流明。

　　另一方面，相较于传统LED封装技术，覆晶(Flip Chip)(又称倒晶)封装技术兼具良率高、导热效果强、出光量增加、薄型化等特点，因此逐渐在LED封装领域崭露头角，惟初期投资大、每小时产量(UPH)远较传统制程低，将为LED封装厂商戮力克服的开发挑战。

　　覆晶封装露锋芒　投资成本/UPH考验倍增

　　亿光电子研发三处副处长徐锡川表示，覆晶封装前景可期，吸引LED封装业者竞相导入。

　　亿光电子研发三处副处长徐锡川表示，覆晶封装技术具备散热佳、出光面积增大、小型化及良率高的优势，因此逐步获得市场青睐，然囿于初期投资金额相当可观，加上UPH不及传统绑晶(Die+Wire Bond)制程，因此垫高技术进入门槛，同时也成为LED封装商积极克服的技术难题。

　　虽然传统绑晶制程具有初期投资金额低、产能高及可沿用既有生产设备优点，却有散热不易、小型化封装良率难提升、需高温接合等缺陷。有别于传统LED封装的固晶方式，覆晶封装系将晶片直接翻转对位于基板上的金凸块(Bump)，再藉由外加能量达到固晶目的。该技术有助于缩短LED制程于高温烘烤时间，以减低物料热应力，且制程简化易于良率控管，此外，由于晶片所产生的热经由金凸块传导至基板上，故导热效果佳，以及去除晶片上电极遮挡出光面积之下，致使出光量增加。该封装制程要求物料品质，即基板镀层、晶片电极，以及瓷嘴设计、金线材质/线经与制程参数。

　　由于节能灯发光效率、节能、寿命、体积及环保皆不及LED，再加上英国卫生部发布关于节能灯的警告，打破节能灯将导致汞释放的严重危险，并造成环境污染，因此尽管现阶段LED价格竞争力不敌节能灯，后势仍深具潜力。为加速LED普及，覆晶封装技术将可望在市场中崭露头角，吸引各LED封装厂争相布局。

　　另值得关注的是，LED朝配置密集化的设计演进，激励高导热散热基板需求，再加上LED基板迈向微型化，以及户外照明和大型化产品对于可靠度要求更加严苛，因铝基板微型化难度高、膨胀系数较高，遂使陶瓷基板与矽基板趁势崛起，尤其矽基板产能从4寸升级至8寸晶圆，将有助于加速达成商品化目标。

　　微型化/高导热需求殷　LED矽基板崭露头角

　　聚鼎科技技术处副理沙益安指出，聚鼎科技的铝基板主要供货给开发侧光式LED TV品牌大厂，增加散热能力为首要采购要件。

　　聚鼎科技技术处副理沙益安表示，高导热封装技术可降低介面热阻、提高热传系数，因此LED基板的选择至关重要，其中，铝基板微型化不易，加上膨胀系数高达20ppm/K，故信赖度偏低，遂使陶瓷基板和矽基板需求兴起。但因直接镀铜基板(DPC)投入设备成本较高，且相较DPC，矽基板尺寸可更小，尤其产能快步提升后，生产成本降达75%。