首尔半导体声明：对InGaN系LED专利
2009-03-02
作者：admin
来源：电子产品世界
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摘要： 首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光LED活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的美国专利5,075,742(以下简称742专利)包含了在日本、德国、英国、法国的专利家族。有关详细的审判内容可以在首尔半导体的网站证实。
首尔半导体业务合作伙伴可使用这一专利。有关企业可以与首尔半导体签订战略协议来得到专利许可。首尔半导体已跟美国和日本的三家企业签订了专利许可协议。对于侵犯专利的企业，首尔半导体有权使其停止销售、使用并对给首尔半导体造成的损失予以赔偿。
首尔半导体一向尊重其他企业的知识产权，并将继续与这些尊重知识产权的企业进行公平的竞争。而对于那些侵犯知识产权的企业，首尔半导体将对其采取必要手段以维护自己的专利权益。
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