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vishay日前宣布推出新系列超亮白光smd led，这些器件采用高效的InGaN技术，可在0603的占位面积上实现出色的亮度。
https://www.alighting.cn/news/20070519/120664.htm2007/5/19 0:00:00
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光led活跃层的必要物质。
https://www.alighting.cn/news/20090227/103771.htm2009/2/27 0:00:00
日前，vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光smd led，这些器件以低于标准InGaN蓝光le
https://www.alighting.cn/news/20070622/117695.htm2007/6/22 0:00:00
日前，英国microled公司plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光led。
https://www.alighting.cn/news/20191209/165507.htm2019/12/9 9:29:51
13日，欧司朗光电半导体发布新闻稿表示，成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光，该款激光的光输出高达 50 mw，发射波长为 515 nm 的真绿光线。与目前采用倍频技
https://www.alighting.cn/news/20090817/119772.htm2009/8/17 0:00:00
氮化铟镓(InGaN)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22
据了解，晶能光电长期致力于研制gan-on-si mocvd生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光led，在350ma电流下光输出超过100流明，采用1x1mm
https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00
vishay intertechnology公司推出采用氮化铟镓(InGaN)技术、具备低电阻及高光功率特性的全新暖白色smd led──vlmw611..与vlmw621..系
https://www.alighting.cn/news/20080314/119690.htm2008/3/14 0:00:00
王江波也指出了ingam基led芯片技术研究重点与挑战，主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光led效率提升等三个方面。
https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。
https://www.alighting.cn/news/200932/V18927.htm2009/3/2 10:40:12
