四、未来上游领域发展趋势：有选择地重点突破，发展自主外延和芯片技术

　　当前，国内众多科研机构在材料外延和芯片制作方面从众多细节入手进行了大量的研究工作。而另一方面，虽然近期国内LED外延和芯片企业的产能和技术水平有了一定提升，但总体上看上游许多企业还未真正形成具有自主知识产权的技术路线，一些企业对未来技术的发展方向还比较困惑。

　　我们认为，当前中国LED产业在上游领域面临的主要问题还是大部分芯片发光效率不够高，器件的可靠性有待改善。建议集中资源有选择的、在一些已经看得比较清晰的方向上重点突破，以提升我国上游产业的水平。当前国内在上游领域还是应该以提高内、外量子效率为核心，在深入理解GaN基材料物理性质的基础上，研发材料外延和芯片制备技术，提高晶体质量、降低位错密度、优化量子阱结构、控制应力和提高光提取效率，尽快在核心技术上形成自主知识产权。

　　此外，国内LED材料外延和芯片产业领域的本土化高层次人才缺乏是制约上游产业健康发展的关键问题之一。

　　LED外延和芯片企业的高层次人才许多是海归人员或从台湾地区聘请，其加入无疑在一定程度上推动了国内上游产业的技术进步，但为了产业的长远健康发展，尽快打造本土化的高层次人才队伍是十分必要的。

　　建议建立多层次的人才支撑体系，建立以企业为中心、以高校和研究机构为基础的创新性人才培养机制，通过共建博士后流动站、工程硕士联合培养点等方式，联合培养光学、物理、电子、微电子、材料等专业领域的创新型人才。