UCSB：俄歇复合为LED效率下降的主要原因
2009-06-15
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： 美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (UCSB)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(GaN)为主的LED，俄歇复合(Auger recombination)是其效率下降(LED droop)与绿色缺口(green gap)的主要原因。
UCSB研究团队第一原理计算结果
随着LED droop的机制被发现，未来的研究方向将聚焦于去除或降低俄歇复合所造成的损失。UCSB团队在论文中讨论了三种降低损失的方法，但都有其劣势所在。其中一个方法是将氮化钾长成闪锌矿(zinc-blende)晶格结构而非一般的纤锌矿(wurtzite)结构，因为这可以将第二条导带推到能量较高的位置，但是要长出高质量的闪锌矿结构并非易事。其它作法包括利用应力或是改变InGaAlN的比例去调整能带结构，不过计算显示，这些变化都不会明显提升LED的表现。(编辑：XGY)
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