美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (UCSB)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(GaN)为主的LED，俄歇复合(Auger recombination)是其效率下降(LED droop)与绿色缺口(green gap)的主要原因，可惜并未同时提出有效的解决方法。

　　LED droop是指在较高电流操作下，发光二极管的外部量子效率会下降。UCSB的Kris Delaney, Patrick Rink及Chris Van deWalle计算显示，效率下降的主要影响因素是俄歇复合，它是一种非辐射式的复合行为，在2.5eV(对应波长为0.5 μm)时达到颠峰。这同时也解释了“绿色缺口”——即波长从蓝光进入绿光波段时，LED的量子效率会下降的由来。

　　此前，Philips Lumileds曾提出，俄歇复合是在较高电流下效率下降的主因，这种非辐射式复合过程牵涉到三个载子的交互作用，其中至少包含一个电子与一个空穴。

　　UCSB的计算结果支持这种说法，但不像其它理论研究团队认为俄歇复合对于LED droop的影响可以忽略，个中的差异在于采用不同的氮化物能带结构。UCSB团队找到第二条导带(conduction band)，并纳入计算中。

　　UCSB团队的氮化镓能带结构是利用密度泛函理论(density-functional theory)结合多体微扰理论(many-body perturbation theory)所计算得到。接着他们采用蒙特卡洛(Monte Carlo)法，计算了超过4千万个步骤的统计平均，才得到俄歇复合速率。