截至 2006 年 12 月，我国有十余家外延芯片厂商已经装备MOCVD ，投入生产的总计数量为40 台。按照各厂商的扩展计划，2007 年预计另有15 台MOCVD 陆续安装投入使用，将使国内的 GaN MOCVD 设备增加到55 台。

　　2006 年国内 LED 芯片市场分布如图 5 所示。 其中 InGaN 芯片市值约占据43 %， 四元 InGaAlP 芯片市值约占据整个国内 LED 芯片的 15 %;其他种类 LED 芯片的市值约占据 42 %。从国内芯片产值上计算，2006 年国内 InGaN 芯片产值 4.5 亿元，同期国内 InGaN 芯片需求总产值 25 亿元。国内非 InGaN 芯片(普亮和四元)总产值6 亿元，同期国内非 InGaN 芯片需求总产值 17 亿元。合计国内芯片市场总需求 42 亿元。

　　从国内芯片供需状况来看， 2006 年国内 InGaN 芯片产量约 60 亿颗，而同期国内对 InGaN 芯片需求总量约达 200 亿颗，国内自产 InGaN 芯片约占总需求量 30% ;四元 InGaAlP 芯片国内产量约 60 亿颗，约占同期国内总需求量 200 亿颗的 30 %;合计其他类型的国产芯片 2006 年产量约达 170 亿颗，国产率达 65.4 %。综合而言， 2006 年国内芯片自产量合计 290 亿颗，占总需求量 660 亿颗的 43.9 %，其中 2006 年国产高亮芯片 120 亿颗， 2006 年国内芯片需求量及自产率见表 7 所示。

　　表 7 国内芯片需求量及国产率状况( 2006 年度)