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光学薄膜的研究新进展及应用

随着科学技术的进步,光学薄膜及相关技术不论从广度还是深度来看都得到了显著发展,并逐渐渗透到现代技术和高端技术等领域。对光学薄膜的3种制备技术:物理气相沉积(pvd)、化学气相

  https://www.alighting.cn/resource/20130319/125859.htm2013/3/19 10:51:49

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

si衬底上inp纳米线的晶体结构和光学性质

采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05

mocvd法制备磷掺杂p型zno薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

氢化物气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

低温cvd法在玻璃衬底上制备zno纳米线阵列

采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59

生长温度对6h-sic上sicge薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06

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