摘要：采用化学气相沉积(CVD)法在镀Cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,ZnO纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;XRD谱图中只观测到ZnO(002)衍射峰。表明制备的纳米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质量。

　　近年来，基于一维纳米结构如纳米线、棒、带和管在载流子的注入与传输方面具有明显的优势和更适于纳米尺度器件的制备，而受到越来越多的关注[1～3]。合成、表征和研究一维纳米材料有利于研究低维系统的维度与量子限制效应对系统的电学、热学和机械性质的影响，有助于研究纳米尺度电子学、光电子学单元器件的功能性质，有益于开发出高性能的新一代纳米器件。

　　基于有序ZnO纳米线的电子传输性好、合成工艺简单、成本低、毒性低、稳定性好等优点，ZnO纳米线阵列在染料敏化太阳能电池光阳极的应用研究方面已成为一种重要的材料[4～7]。相对于高温下生长的V-L-S(气-液-固)机制以金、银[8]作为催化剂，本文选用Cr作为催化剂，实现了ZnO纳米线阵列的低温生长。

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