APT-B5501AB倒装芯片[广州晶科]
摘要： APT运用自主开发的核心技术优势，在LED产业链中从中游芯片位置投资，同时跨越、节省传统LED封装工艺与成本，直接将大功率、超大功率模组芯片产品提供给下游照明光源客户。主要以生产功率型氮化镓蓝LED芯片和超大功率模组芯片（5W、10W、15W、30W等）为主。今天主要推荐：产品型号： APT-B5501AB-V WWW LL的1W 氮化镓蓝光LED倒装芯片。
产品名称：1W 氮化镓蓝光LED倒装芯片
产品型号： APT-B5501AB-V WWW LL
APT-B5501AB-V WWW LL芯片-外观图
产品优势与应用领域：
| 产品特点 | 应用领域 |
 专利倒装技术 |
普通照明领域 |
| 专利模组技术 |
道路照明领域 |
| 超高出光效率 |
车用照明领域 |
| 高效散热设计 |
景观照明领域 |
| 超高可靠性能 |
高级闪光灯领域 |
| 便于客户封装 |
特殊照明领域 |
芯片尺寸与材料：
| 外观图 | 材料说明 | 尺寸说明 | ||
 |
芯片衬底 | 蓝宝石 | 芯片尺寸 | 1325μm ×1325μm |
| 外延材料 | 氮化镓 | 基板尺寸 | 1995μm ×1775μm | |
| 基体材料 | 硅 | 电极尺寸 | 99 μm ×304μm | |
| 电极材料 | 金 | 芯片厚度 | 115±5μm | |
| 凸点材料 | 金 | 基板厚度 | 250±5μm | |
| 总厚度 | 390±10μm | |||
产品光电参数说明（测试温度：25摄氏度）：
| 项目 | 符号 | 测试电流 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
| 正向电压 (VF) | VF | If = 350 mA | 2.8 | 3.4 | V |
| 主波长 (WLD) | λd | 450 | 465 | nm | |
| 辐射功率 (LOP) | IV | 250 | 370 | mW |
最大额定值（测试温度25摄氏度）：
| 项目 | 符号 | APT-B5501AB-V WWW LL |
| 正向电流 | IF | 1400 mA |
| 正向脉冲电流 (1/10占空比 @1KHz) | IFP | 2000 mA |
| LED结温 | Tj | 125 ℃ |
| 工作温度范围 | Topr | -40℃ to +85℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -40℃ to +100℃ |
| 抗静电释放能力 (HBM模式) 注2 | ESDHBM | > 4000 V |
| 抗静电释放等级 (根据JESD22-A114-B) 注2 | ESDLevel | Class3A |
| 反向电压 | VR | 注 3 |
备注:
1. 以上数据为使用Power Dome支架、无灌胶条件下裸晶测试结果，不同封装方式得到的测试结果可能不尽相同，仅供参考;LED最大结温允许值也与封装方式相关;若封装生产使用回流焊，必须保证不能在300 ℃以上温度条件使用超过3秒;
2. 抗静电释放测试根据人体模型，使用RAET方式模拟静电释放，所有产品通过测试，符合JESD22-A114-B标准Class 3A等级。
3. 测试LED使用的反向电压不能超过6V，否则有可能损坏产品，而且正常使用情况下，供电电源不能反接LED。
4. 由于硅基体易碎，因此强烈建议封装打线时，尽量远离基体边缘，以免损坏基体。
技术工艺介绍：Flip-chip LEDs倒装芯片技术;
倒装芯片通常是功率芯片主要用来封装大功率LED(>1W)，正装芯片通常是用来进行传统的小功率φ3～φ10的封装。因此，功率不同导致二者在封装及应用的方式均有较大的差别，晶科在开发和制造超高亮度、超大功率氮化镓发光二极管(LED)及其相关产品方面，拥有自主的知识产权，拥有领先的LED芯片倒装核心技术;
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外观说明：
APT产品的外观形貌与各部分说明如下图：
为了方便外观不良的影响，对这款芯片的结构说明做了如下的解释：
APT公司Flip-chip LEDs采用专利倒装技术，结合图形化蓝宝石衬底、高反射金属等技术，使光输出最大化。同时基板采用奇纳二极管保护，产品全部通过了ESD(HBM模式)>4000V测试。
外观形貌：
LEDs外观形貌的缺陷，有可能引起产品使用过程中参数的偏差，关键参数偏差超出不可接受的限度，会引起产品的失效。APT实行严格的质量监督管理策略，对产品外观有严格的监控标准，所有的产品均需要通过外观的检验。为了方便使用者更好的了解并使用APT的产品，一下对LEDs的常见的外观的形貌问题做出了详细的解释。
Ⅰ. 发光区颜色的不一致
APT外观标准：合格
产生原因：
外延沉底工艺少有差异，样品对反射光波长选择性有所不同，从而外光上颜色不一。
影响：
不影响光电性能，APT对外延工艺有严格的认证体系，确保产品性能一致;
Ⅱ. 硅基板划伤或者污染
APT外观标准：
硅基板划伤或者污染面积不到连接电路金属层范围的八分之一，合格。
产生的原因：
封装作业中硬物划伤，或者外来污染物粘到了LEDs表面。
影响：
符合外观标准的产品光电性能不受影响，由于链接电路金属层面积达，而且表面有钝化层保护，轻度划伤或者污染可以接受。
Ⅲ. 硅基板破损(正面)
APT外观标准：
硅基板破损没有达到连接电路金属层，合格。
产生原因：
封装作业中硬物夹伤或者碰撞，最常见为手工作业夹起产品时造成。
影响：
符合外观标准的产品光电性能不受影响，若伤金属层，存在引起漏电的可能性。
Ⅳ. 硅基板破损(背面)
APT公司外观标准：
硅基板背面破损，举例不超过边长五分之一，合格。
产生原因：
运输或者封装作业过程中，碰撞，挤压造成。
影响：
符合外观标准的产品光电性能不受影响，对封装固晶也没有影响。
特性测试：
备注：
1. 测试结果为典型值。
可靠性测试：
| 测试项目 | 测试条件 | 测试周期 | 结论 |
| 高温环境下工作寿命测试 | T=50℃ IF=350 mA | 1000 小时 | Note 1 |
| 室温环境下工作寿命测试 | T=25℃ IF=350 mA | 1000 小时 | Note 1 |
| 高温存储测试 | 非工作状态 ~110℃ | 1000 小时 | Note 1 |
| 低温储存测试 | 非工作状态 ~ -40℃ | 1000 小时 | Note 1 |
| 高温高湿工作寿命测试 | 85℃ / 85%RH @ 350 mA | 1000 小时 | Note 1 |
| 热循环测试 | 125℃ ~ -40℃ (根据JESD22-A104-B标准) |
200 周期 | 通过 |
| 牢固性测试 | 1.2m高度自然下落 | 3次 | 通过 |
| 剪切力测试 | 剪切方向 | \ | ＞70MPa |
备注: 1. 对于测试样品，经过1000小时测试周期，亮度衰减最大不超过10%，正向电压改变最大不超过200mV。
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