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Veeco发表用于生产HB LED的MaxBright? GaN MOCVD

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2011-02-10 作者:(编辑:tOm) 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 近日,世界级MOCVD厂商-Veeco宣布:其引进的TurboDisc ? MaxBright?氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(MOCVD)多反应器系统,用于生产HB-LED。

  日前,Veeco宣布,其引进的TurboDisc ® MaxBright™氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(MOCVD)多反应器系统,用于生产HB LED。

  Veeco介绍,MaxBright利用Veeco的FlowFlange ®集群架构自动化技术和专业知识在一个模块化的两个或四个反应器通过组合多个、新、高通量金属有机化学气相沉积反应器。

  该MaxBright反应堆,在K465i的基础上经过生产验证,既要扩大晶圆的生产能力和先进、专有的、封闭循环热控技术,同时扩大-均匀性、重复性和材料的质量。MaxBright MOCVD系统可提供生产能力达216 × 2,56 × 4,24 × 6或12 × 8晶圆。此外,无缝转移K465i配方MaxBright能使客户实现快速生产。

  同时,Veeco相关人士指出,“MaxBright的价值主张是明确的:它是最高的生产力MOCVD系统制造高亮度LED市场上。该架构支持单腔或多腔层的生长能力,提高LED结构过程的灵活性高要求。 MaxBright的紧凑型架构还允许一个独立的金属有机化学气相沉积系统足迹效率增益高达2.5倍。总体而言,MaxBright提供了500%的增值比较紧凑封装的K465i以灵活的。”

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