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用x射线衍射(xrd)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,zno薄膜的压应力减小,并向张应力转化
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
借助类rfid能量采集技术与有机电子组件的结合，德国有一群公司以无线方式启动了印刷式电致发光(electroluminescence)装置；这种技术也适合支付卡等安全性应用领域。
https://www.alighting.cn/resource/20090729/128720.htm2009/7/29 0:00:00
由华嘉光电技术有限公司的姚华文所整理的《有机电致发光显示器件oled简介》，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130313/125899.htm2013/3/13 10:11:17
白光电致发光二极管(led)是固体照明的重要光源。荧光体转换是获取白光led的主要途径之一。当前,转换用荧光体的研究在发光材料领域中最活跃。本文对近年来白光led用发光材料新体
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:15:08
研究了三氧化钼(moo3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127047.htm2011/9/30 11:19:54
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
