2012，衬底也疯狂
摘要： 硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪LED网评测室特对LED衬底2012年三雄逐鹿天下的历程进行盘点，以供参考。
2012年7月5日——ARC Energy在名为“关于CHES™蓝宝石的LED制造研究”(LED Manufacturing Study on CHES™ Sapphire)的白皮书中发布了一项研究的结果。结果显示，采用其专有CHES技术生长的蓝宝石的LED亮度高出业界标准5%。
ARC Energy的CHES熔炉在多个方面都是独一无二的。它的一个主要优势就是可大大提高材料利用率，这是因为蓝宝石是在c平面上生长的。这种方法以更低的成本生产出直径更大的基材。通过使用c平面ARC Energy CHES熔炉，材料利用率就可达到75%以上。
2012年8月2日——LED上游材料蓝宝石基板供货商Rubicon执行长Raja M. Parvez表示，LED市况有开始复苏的迹象。
2012年8月6日——继二月份宣布量产4英寸和6英寸蓝宝石衬底后，苏州海铂晶体有限公司(以下简称苏州海铂)传来捷讯：公司已于近期顺利生产出10英寸晶锭，良品率达80%以上。
“在全球市场，只有Rubicon和Monocrystal和可以做到10英寸，我们是全球第三家，国内第一家。” 海铂晶体总裁方建雄透露，公司计划在明年试产12寸蓝宝石衬底。海铂晶体成立之初即锁定大尺寸蓝宝石衬底市场，方建雄介绍，公司的长晶技术为先进热控法。这一技术最大的优点是，大尺寸生产，最大尺寸可以做到12寸，而且可以保证晶体指标是一致的，就像工业品一样大量复制。
2012年11月20日——受到LED逐渐进入淡季、下游厂商需求开始减弱影响，蓝宝石衬底厂透露，11月报价已松动，部分2线厂商报价已跌破每片8美元(约232元台币)大关，甚至见到7.5美元。
2012年12月7日——天通股份对外宣布，其LED蓝宝石衬底技术取得重大突破，攻克了当前长晶工艺与设备技术的核心瓶颈问题，实现了长晶工艺与设备技术的更合理融合，试产结果显示，长晶工艺技术稳定，晶体质量一致性好，80kg晶体开炉合格率达到85%以上，达到国际领先水平。
2012年12月24日，据相关媒体报道，为“解困”蓝宝石材料过剩，众厂商包括贵州皓天光电、天龙光电等蓝宝石材料厂家都开始将目光转移到手机市场。
资料统计，中国大陆蓝宝石厂家将近60家，如同大陆芯片厂一样，信心十足的市场预估，让众多商家涌入蓝宝石行业并大量扩产，而始料未及的市场挤压不得不让蓝宝石价格大幅缩水。造成中国大陆蓝宝石市场受到挤压。而大功率LEDPSS衬底成蓝宝石衬底新机会。
究竟谁会最终主导LED衬底材料市场?LED芯片市场竞争格局又将发生怎样的变化?三大LED衬底逐鹿天下，至2012年最后一天，仍未见分晓。
【独家观点】
“照明用LED芯片一定需具备高亮度、大功率、散热性好等特质，在这样的技术要求下，蓝宝石和SiC仍然是比较好的路线。”“预计未来5-10年，衬底目前的这种格局不会发生大的变化。”
——中国科学院上海硅酸盐研究所研究员徐军
硅衬底LED有其特定的市场优势，不能在所有的五花八门市场中都替代蓝宝石和SiCLED，一切都有待各技术路线今后的进展。
——南昌大学副校长、教授、博士生导师、材料研究所所长江风益
5年内这三种技术路线在产业化所占比重是不会发生变化的，未来发展趋势还取决于各种技术成本下降程度和技术发展完善程度。
——山东大学教授徐现刚
从产品来讲，硅衬底LED芯片是垂直结构芯片，比起常见的蓝宝石芯片，硅衬底LED芯片具有出光形貌好、散热优良、适合于大电流驱动以及陶瓷封装效率高等特点。从技术成本方面来讲，硅衬底LED技术比蓝宝石更加适合于大尺寸外延。蓝宝石衬底技术在从2寸转向6寸、 8寸时技术壁垒非常高， 生产成本不降反升。但对于硅衬底LED技术，从2寸转向6-12寸衬底时比较顺畅，并且可以利用大尺寸硅衬底成本低的优势， 大幅度提高LED产线的自动化程度和生产效率， 降低LED产品的综合成本。
——晶能光电有限公司CTO赵汉民博士
即便硅衬底大规模产业化，但现阶段是无法预知硅衬底GaNLED将来是否将完全取代蓝宝石衬底的。
——普瑞光电
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