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2012，衬底也疯狂

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2012-12-30 作者：卡茨来源：新世纪LED网浏览量：网友评论： 0 条

摘要： 硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪LED网评测室特对LED衬底2012年三雄逐鹿天下的历程进行盘点，以供参考。

　　2012年4月13日——科锐公司宣布，其白光功率型LED光效再度刷新行业最高纪录，达到254 lm/W。科锐方面表示，其第三代照明级XLamp® LED改采用的科锐创新性SC³技术平台(即第三代碳化矽技术)，是科锐取得这一研发成果的核心关键。

　　科锐联合创始人之一、先进光电事业部总监John Edmond表示：“科锐实验室的这一创新性突破再度树立起整个LED产业发展的里程碑。高性能的LED不仅可以帮助实现更佳创意和更好效果的LED照明应用，同时还能够大幅度及有效地降低LED设计与整体解决方案的成本。”

　　2012年4月16日——科锐公司宣布推出首款基于科锐SC³技术平台的EasyWhite® LED 阵列。与上一代产品相比，新型XLamp® MT-G2 LED实现了25%亮度提升，满足广泛高流明应用的要求。

XLamp® MT-G2 LED

　　据称，XLamp® MT-G2 LED采用先进的科锐EasyWhite®技术，能够提供业界领先的光色一致以及卓越的光学控制，暖白光(3,000 K)在85 °C条件下可提供高达 2,100 lm 的光通量。XLamp® MT-G2 LED在LED灯具设计中可作为单颗元器件使用，因此能够帮助照明生产商方便有效地模拟和采用原有照明产品的外观，简化产品设计和生产制造。XLamp® MT-G2 LED采用8.9 mm x 8.9 mm的封装尺寸，能够提供2,700 K 至5,000 K之间的2阶和4阶EasyWhite® 色温分档选择。该款新型LED包括最小显色指数(CRI)为80和90的产品选择，并且能够提供包括高压在内的多种电压选择，因此能够采用更小的驱动以降低系统成本。

　　2012年9月5日——美国科锐公司(Cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4H的n型SiC外延晶圆(英文发布资料)，适用于制造功率半导体、通信部件及照明部件等。

　　此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。开发品具有足够的均质性，可以稳定供货，目前已开始销售。科锐称在100mm(4英寸)SiC晶圆方面也有着良好的销售业绩，今后将继续致力于SiC晶圆的大口径化。

　　2012年9月19日——科锐公司(Nasdaq:CREE)日前宣布推出其最新低基面位错(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1 cm-2。这一新型低基面位错材料的推出进一步体现了科锐长期以来对碳化硅材料技术的不断投入和创新。

　　科锐功率器件与射频(RF)首席技术官 John Palmour表示：“碳化硅双极型(Bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用于诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等高压双极型器件，并且增加这些器件的稳定性。这一最新成果有助于消除迟滞高功率器件商业化的阻碍。”

　　2012年9月23日——科锐公司宣布推出 XLamp® XP-E2 LED，与现有XLamp® XP-E LED和XLamp® XP-G LED相比，能够提供更高光效和更高lm/$，进一步降低系统成本。　XLamp® XP-E2 LED基于科锐革新性的SC3技术TM新一代LED平台。在冷白光(6000K)、350 mA和 85°C条件下，光效高达128 lm/W。在冷白光(6000K)、350 mA和 25°C条件下，光效高达143 lm/W。