世界首家“全SiC”功率模块开始量产
摘要： 日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。开关损耗降低85%，大幅减少了工业设备等的功率损耗。
【新世纪LED网讯】日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。
此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力转换的变频器、转换器上，与普通的Si(硅)材质的IGBT模块相比，具备以下优势，有效解决了世界能源和资源等地球环境问题。
●开关损耗降低85%
●与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50%
●损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化
本产品计划在罗姆总部工厂(京都市)从3月份下旬开始量产、出货。
近年来，在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。
根据估算，将传统的Si半导体全部替换为SiC后的节能效果，仅在日本国内就相当于4座核电站的发电量，因此，各公司都已强化了相关研究开发。在这种背景下，罗姆于2010年在世界上率先成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，在行业中遥遥领先。
与此同时，关于“全SiC”模块，即所内置的功率元件全部将Si替换为SiC，多年来，虽然全世界的制造商多方试制，但在可靠性上存在诸多课题，一直无法实现量产。
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