2012，衬底也疯狂
摘要： 硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪LED网评测室特对LED衬底2012年三雄逐鹿天下的历程进行盘点，以供参考。
2012年5月10日——普瑞光电公司与东芝公司宣布，在年初两家公司达成合作协议短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1V电流350mA时发射功率达 614mW。
“我们用硅衬底制作芯片，一旦成功，意味着芯片的制造成本可以降低70%。”普瑞光电商业发展副总裁柴燕博士对于未来硅衬底的市场前景非常乐观。
2012年6月12日——晶能光电(江西)有限公司新一代硅基大功率LED芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/W。这是晶能光电继3年前实现硅基小功率LED芯片规模化量产以后，在硅基LED技术领域取得的又一重大进展。
晶能光电CEO王敏透露，公司计划在12个月内把目前2寸的生产转移到6寸，6寸硅基LED计划在2013年可实现量产。
2012年7月24日，爱思强股份有限公司推出最新产品AIX G5+，为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm硅基氮化镓生长专用设备。
爱思强表示硅基氮化镓技术是很多新兴功率电子器件市场领域的首选技术，同时在未来低成本高性能的高亮度LED产品制造方面拥有良好的前景。芯片尺寸以及材料对于制造工艺的成本效益至关重要，因此过渡到200 mm的标准硅芯片，将以其独特的成本优势成为未来发展的合理趋势。
2012年12月15日——东芝公司宣布将开始销售白色LED封装产品，东芝与Bridgelux, Inc.共同开发出在200mm(8英寸)硅晶圆上制造氮化镓LED的工艺，而东芝目前已将该工艺运用到日本北部一家分立器件制造厂——加贺东芝电子公司的新生产线上。这意味着8寸硅基氮化镓LED芯片实现量产。
除此之外，飞利浦、三星也均在硅衬底方面展开研究，而三星更是一开始就瞄准了8英寸大尺寸的直接入手……可以预言，由硅衬底引发的半导体照明核心技术的竞争正在全球掀起。
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