评测

当前位置:首页 > 评测 > 新品发布 > 正文

飞兆半导体扩充开关电源MOSFET产品线

大件事要分享到:
2012-08-23 作者:LEDth 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 美国飞兆半导体扩充了用于开关电源(AC-DC转换器)的40~80V耐压功率MOSFET的产品线(英文发布资料),新投放了4款产品.

  美国飞兆半导体扩充了用于开关电源(AC-DC转换器)的40~80V耐压功率MOSFET的产品线(英文发布资料),新投放了4款产品,分别是耐压为40V、采用Power56封装的“FDMS015N04B”;耐压为80V、采用Power56封装的“FDMS039N08B”;耐压为60V、采用3端子TO-220封装的“FDP020N06B”;耐压为80V、采用3端子TO-220封装的“FDP027N08B”。4款产品均为n通道产品,特点是,为支持高速开关,降低了栅极电荷和反向恢复电荷。据该公司介绍,“可降低开关损失,因此可用作开关电源的同步整流器”。

  FDMS015N04B的最大连续漏极电流为100A,最大脉冲漏极电流为400A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为1.5mΩ(最大值);栅极电荷为118nC(最大值);反向恢复电荷为90nC(标称值)。

  FDMS039N08B的最大连续漏极电流为100A,最大脉冲漏极电流为400A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为3.9mΩ(最大值);栅极电荷为100nC(最大值);反向恢复电荷为80nC(标称值)。

  FDP020N06B的连续漏极电流为313A,最大脉冲漏极电流为1252A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为2.0mΩ(最大值);栅极电荷为268nC(最大值);反向恢复电荷为194nC(标称值)。

  FDP027N08B的最大连续漏极电流为223A,最大脉冲漏极电流为892A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为2.7mΩ(最大值);栅极电荷为178nC(最大值);反向恢复电荷为112nC(标称值)。

  所有产品的内置二极管均可进行软反向恢复。因此“与其他竞争公司的产品相比,可将缓冲电路产生的电压尖峰降低15%左右”(飞兆)。批量购买1000个时的美国参考单价方面,FDMS015N04B为1.78美元、FDMS039N08B为1.60美元、FDP020N06B为4.50美元、FDP027N08B为3.30美元。

凡本网注明“来源:阿拉丁照明网”的所有作品,版权均属于阿拉丁照明网,转载请注明。
凡注明为其它来源的信息,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
| 收藏本文
最新评论

用户名: 密码: