想更详细了解芯片内部结构的对比，可直接百度。下面我详细分析一下采用覆晶结构封装的产品有什么特点。

　　△这三个特点相信很多人都知道，但我们需要清楚它是如何实现的。

　　首先我们来看高密度，要实现高密度光输出，产品要满足三个条件。这三个条件实际上是相互关联的，因为大电流意味着高热量。

　　为什么覆晶结构封装能承载大的电流呢?我们来对比分析下电路。

　　这里我解释下正装芯片金属薄膜层，由于P型GaN传导性能不是太好，为获得良好的电流扩展，通过蒸镀技术在P区表面形成一层金属电极层，再将P区引线通过该层金属薄膜引出，正是因为这种结构，形成了正装芯片在承载电流上的一个短板。

　　大家都知道，电阻与导体横载面积成反比例关系，横载面积越大电阻越低，还与导体长度成正比例关系，导线越长电阻越大。

　　从电路横载面积上看，覆晶结构电极尺寸远远超过金线横载面积，一般情况下相差60倍。当然土豪可以换成很粗的金线。

　　从长度上看，由于金线键合工艺要求，金线必须是弧型，也无疑也增加了导线长度。晶片的结构及线路的大小已经初步确定了承载电流的大小。

　　光源产品电路具体的电阻值与产品结构设计相关，所以无法提供具体参数，可以确定的是，这种相差是按乘法计算的，电路越多差别越大。

　　大家也知道，电阻是要消耗功率的，消耗功率就会产生热量，所以我们在设计线路时，尽可能降低其电阻，也不要有太多的尖角。

　　接着讲导热的问题，还是和上面的一样，我们先来对比分析下热传导的途径。