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解读“恐蓝”阴影笼罩下的紫外LED发展现状

2014-11-14 作者: 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 其中,天野浩目前从事的紫外LED(UV LED)研究正被业界逐渐重视,更被认为是LED继白光之后又一应用新大陆,前景可谓十分乐观。

  10月9日,诺贝尔奖物理学奖名单出炉,LED无疑跻身“高大上”行列成为全世界的焦点。而三位获奖人赤崎勇(Isamu Akasaki)、天野浩(Hiroshi Amano)与中村修二(Shuji Nakamura)也频频登上各大媒体头条。除了发明蓝光LED贡献外,如今三位获奖者又进一步在各自领域进行研究。

  其中,天野浩目前从事的紫外LED(UV LED)研究正被业界逐渐重视,更被认为是LED继白光之后又一应用新大陆,前景可谓十分乐观。

  不过业内人士表示,与LED照明从实验室走向高度产业化的进度有所不同,紫外LED的效率等技术细节仍有很大提升空间。除了技术门槛高外,UV LED应用的商业模式也正在探索当中,市场对新光源应用何时能大规模接受更是未知数,毕竟,“恐蓝”的阴影还未散去。

  拼性价比难以绕过

  与LED照明产业化进程中遇到的技术难题一样,效率是量化产业发展进度最重要的指标之一。

  据青岛杰生电气有限公司副总经理武帅博士介绍,高压汞灯的有效杀菌效率在5%~8%,而小于280nm的UV LED其效率的实验室水平已达10%,但产业化水平仅为2%。

  无论是传统光源还是LED光源,从蓝光到深紫外光(Deep UV),随着波长由365nm向280nm逐渐缩短,制备难度都在提高。对于LED光源来说,波长缩短则意味着掺杂GaAlN比例逐渐升高,这使得P型材料导电性越来越差,器件的效率难以提高。

  要解决这一问题,就需要在GaAlN的生长机制上下功夫,然而,生长GaAlN的机制比生长普通蓝光外延复杂得多,传统MOCVD也不适合生长GaAlN,因此需要了解其生长机制后,向MOCVD企业订制设备,或者自主研发MOCVD设备。

  除了掺杂技术要求苛刻外,旭明光电研发处资深处长朱振甫认为,UV LED芯片与封装还需要可以快速散热的机制,增加其固化应用的稳定性。

  但在与高压汞灯的性能较量上,器件效率不是唯一的衡量标准,还要看实际应用的杀菌效率。

  据悉,最有效的杀菌波段在265nm~270nm区间,而高压汞灯在254nm是波峰,UV LED目前能做到280nm其杀菌效率也比较理想。

  此外,由于LED本身面积较小,在同等功率下的功率密度比较大,相比之下传统汞灯功率密度更小,这样一来,杀菌效率UV LED反而比高压汞灯更高。

  武帅认为,在目前的效率下,UV LED更适合在便携式、小规模的杀菌、消毒上应用,而工业水处理等大规模消毒,还是以高压汞灯为主。

  除了拼效率外,一个新技术的产业化价格也是绕不开的问题。

  首先,订制MOCVD设备便造成成本上涨,而UV LED外延片的产量及良品率也成了制约成本下降的关键因素。“蓝光外延一炉100多片,UV LED做不到。”但武帅认为,UVLED目前并不依靠价格取胜。“物以稀为贵”,UV LED产品的价格由市场决定,当市场需求大时价格自然会降下来。

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