2012年7月10至12日半导体产业最大的展览会—美西半导体设备暨材料展(SEMICON West)在美国硅谷举行。晶能光电有限公司首席技术官(CTO)赵汉民博士应邀出席“新一代高亮LED峰会”并发表演讲，介绍了晶能光电最近实现量产的硅衬底大功率LED芯片的最新成果，引起业界高度的关注。

　　在峰会上赵汉民博士作了题为“Commercialization of High power LEDs based on GaN-on-Si technology”的报告。报告介绍了晶能光电公司的发展历程，同时从产品的工艺、种类、性能、应用和特点等方面详细介绍了硅基大功率LED芯片的最新进展，指出晶能光电作为目前全球唯一一家硅基LED芯片产品实现量产的公司，将打破蓝宝石衬底和碳化硅衬底LED芯片的垄断局面，为高效率低成本的半导体照明做出自己的贡献。

　　报告重点介绍了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在内的四款硅基大功率LED芯片，此前晶能光电在广州香格里拉大酒店举行的新一代大功率硅基LED芯片产品发布会上推出了这四款产品。赵汉民博士指出，45mil的硅基大功率LED芯片发光效率可达到120lm/W，可广泛应用于室内照明、室外照明、直下式背光和便携式照明等市场。与目前市场主流的蓝宝石衬底LED芯片相比，硅衬底LED芯片具有耐大电流密度、散热性能好、发光形貌好、可靠性高等综合优势。晶能光电针对硅衬底LED芯片技术申请了国际国内200多项专利，形成了很强的专利保护。报告最后指出，大尺寸GaN/Si技术的研发成功将会有力地降低LED成本，推动LED照明的大规模应用。目前晶能光电正在努力开发6寸 技术，预计在将来12个月内进入量产。

　　此次展览会和LED峰会增进了全球LED照明公司之间的技术交流与沟通，并且将晶能光电的硅基LED技术推向了LED行业的国际前沿，为硅基LED的未来发展奠定了基础。