产业研究机构Yole Développement发布砷化镓晶圆调查报告指出，在行动通讯需求增长与LED一般照明渗透率提高的推升之下，预估在2012年至2017年间的砷化镓磊晶基板 (GaAs substrate)产值将以11%的年复合成长率往上攀升，并在2017年达到6.5亿美元规模。

　　根据Yole Développement的统计，2011年砷化镓基板的产值达到3.6亿美元，年增率约仅4%，相较于2010年产值年增率为22%，出现成长大幅放缓的状况，不过Yole Développement认为，2012年开始射频元件需求增长趋势重新确立，再加上LED一般照明渗透率日渐上升，可望带动砷化镓基板产值年复合成长率重回2位数百分比。

　　Yole Développement预估，2012年至2017年的砷化镓基板产值将以11%的年复合成长率往上攀升，到2017年总产值将达到6.5亿美元。

　　在未来5年间带动砷化镓基板需求成长的主要引擎，无疑将是受到3G /4G终端市场的带动，逐日攀高的行动用射频元件市场。不过，Yole Développement指出，包括LED 照明、高聚光型太阳能 (High Concentration Photovoltaics, HCPV)电厂的需求，也将推升砷化镓基板总产值持续增温。

　　Yole Développement也在报告中直指，近期各砷化镓基板大厂均宣告将扩产、拉高产能，一方面承接了部份日系砷化镓基板厂商在2011年的东北大地震当中厂房受损的市占率缺口，另一方面则是为了迎接市场需求的成长趋势，全球砷化镓基板总产值仍将持续往上。