图6：LED结构方面技术专利情况

　　芯片领域专利申请比重较少，专利技术主要集中于电极制造、衬底剥离、表面粗化等方面，国内在芯片领域专利技术较为分散，在电极的材料选择和结构设计方面面临着较大的国外专利挑战。

　　全球芯片制造领域相关专利共计8,683项，占全部总量的6.98%，近五年的申请量约占其总量的41.8%，增长趋势较明显。中国在芯片制造领域的专利申请有1,227件，其中国外来华588件，占国内申请总量的47.9%。

　　芯片制造技术与外延技术类似，都属于产业链的上游技术，全球主要研发机构韩国三星、LG，日本日亚、夏普、松下、东芝，台湾晶元等都进行了大量专利布局，其中涉及部分基础的核心专利技术(如日本日亚的电极的材料、结构和制造工艺专利族等)，值得关注。

　　国内主要的研发机构有台湾晶元、中科院半导体所、厦门三安等，国内申请人中科研机构数量偏多，企业的申请量相对较少，且较为分散。

　　目前，芯片制造领域的专利技术主要集中于提高发光二极管芯片的外量子效率，不断谋求设计新的芯片结构来提高出光效率，包括电极制造、衬底剥离、表面粗化、光学反射等技术。其中，在电极制造方面应注意加强对电极的材料选择和结构设计等比较基础的研究，特别注意对新型材料、复合材料、叠层结构、图案结构等加大研发力度，着重解决电流分布和欧姆接触等技术问题;在提高出光效率的问题上，芯片的反射/抗反射、增透以及表面粗化等技术已经比较成熟，目前通过设置布拉格反射镜提高出光效率的研究比较多，国内申请人可继续加强这方面研究力度，注重研究适用于布拉格反射镜的材料和结构，以及光子晶体特别是多维光子晶体方面的研究，以避免拉大与国外甚至台湾地区的技术差距;同时单芯片发白光的专利申请也逐渐增多，国内部分单位在这方面也有所研究，主要是在芯片内部直接形成波长转换层、多波长有源层等，国内申请人也可在这方面深入研究。在电极制造方面，国内专利申请普遍注重制造工艺，涉及电极的材料选择和结构设计等专利申请较少。