未来最有发展潜力的LED专利技术
2011-06-12
作者：ledth
来源：新世纪LED网
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摘要： 在半导体照明技术领域，根据技术特点及产业习惯，可大致分为外延技术、芯片制造、芯片封装以及市场应用四个环节。在中国专利申请中，涉及市场应用的专利申请量达23,268件，占申请总量的75.8%，涉及封装的专利申请量4,628件，占申请总量的15.1%，而涉及产业上游的外延技术和芯片制造的申请量很少。
目前，外延生长领域的专利技术的热点主要集中于氮化镓、ZnO、外延层生长(MOCVD)等方面，特别是氮化镓衬底的专利申请量远远高于其它衬底技术，全球主要研发机构自2005年以来正在积极地进行专利布局。另外ZnO基的研究还处于初始阶段，专利申请量相对较少，虽然主要的技术路线还很不明朗，但仍有很大技术创新空间，国内浙江大学在ZnO方面具有一定的技术实力。外延层生长技术及设备(MOCVD)也是外延层制造技术的关键所在，目前专利技术主要集中在利用金属有机化学气相沉积方法生长Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物的薄层单晶，而在氢化物气相外延(HVPE)、选择性外延、侧向外延、悬空外延等方面的技术和设备方面改进可能成为未来LED外延层技术的又一重点发展方向。
图5：量子阱结构方面技术专利情况
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