国星光电投3.7亿人民币发展新型TOPLED技术
2010-09-17
作者：未知
来源：ledinside
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摘要： 国星光电现已与佛山市国土资源局签订了土地使用合同, 出资1717万元购得禅城区16805.23平方米的地块，另外，将斥资1.32亿元在此建设新厂区，并将实施2.24亿元新型TOPLED制造技术及产业化项目。
近日，国星光电股份有限公司将投资3.7亿元人民币建设新型TOPLED制造技术及产业化项目。
国星光电现已与佛山市国土资源局签订了土地使用合同, 出资1717万元购得禅城区16805.23平方米的地块，另外，将斥资1.32亿元在此建设新厂区，并将实施2.24亿元新型TOPLED制造技术及产业化项目。
新型TOPLED项目产品，是一种具有自主知识产权的采用PCB材料制造的新型TOPLED支架, 基于这种新型基板材料设计和封装的新型TOPLED，具有高导热性，使得器件在显示屏、日光灯管等高密度使用状态下具有更好的散热性能。另外，该项目产品采用平面数组封装,能较大幅度的提高生产制造效率。
目前该新型高导热基板及基于导热基板的器件结构已经申请1项发明专利、1项实用新型专利，基于该新型高导热基板的H5050RGB器件已经开始试产，型号器件也正在开发中。(编辑：ZQY)
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