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国星光电新增两项LED发明专利 期限20年

2015-09-15 作者: 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 国星光电9月15日公告称,公司近日取得两项发明专利,其名称为高对比度LED显示模组及其制造方法和一种大功率LED 器件及其制造方法。授权公告日为2015年6月17日和7月29日。专利期限均为20年。

  国星光电9月15日公告称,公司近日取得两项发明专利,其名称为高对比度LED显示模组及其制造方法和一种大功率LED 器件及其制造方法。授权公告日为2015年6月17日和7月29日。专利期限均为20年。

  公司表示,上述专利的专利权人均为公司。其专利的取得不会对公司生产经营产生重大 影响,但有利于保护和发挥公司自主知识产权优势,形成持续创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。


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