目前国际上GaN基LED产业主流的衬底是蓝宝石，也有少量公司使用SiC衬底及Si衬底。Si衬底价格低廉，导电性能优良，但是Si与GaN的失配很大，外延出的GaN位错密度较高，而且很容易发生龟裂，要获得高质量的GaN外延层非常困难。最近南昌大学在Si衬底上生长GaN基蓝光LED方面取得了较大进展，光效达到了116.7流明，达到了同类产品的最高水平。

　　同时，其技术也得到了严密的专利保护，其大规模产业化的进展，对于提高我国LED技术专利在国际上的地位具有很重要的意义。Si衬底GaNLED芯片的研制成功，改写了以蓝宝石、SiC为衬底的GaNLED的历史，为LED走向普通照明开辟出一条新的技术路线。从此次会议的反应看，硅衬底LED正在成为业界关注的焦点，硅衬底LED技术承载了业界太多的希望。

　　LED工艺技术进步非常快，在工艺技术快速进步的同时，硬件设备并未获得突破，特别是没有成熟的国产设备，大量核心的设备需要进口，严重制约了LED技术和产业的发展。

　　MOCVD设备进口激增产业发展风险凸显

　　据不完全统计，国内大约30个单位已经公示或正在筹建LED外延芯片项目。其投资购买MOCVD设备的数量在1400台～1600台，而实际较可能的数量也有500台～600台。

　　为什么会有如此大的投入，山东浪潮华光光电子有限公司副总经理任忠祥分析认为，错误数据的引导，使政治家和企业家热血沸腾。“LED外延片与芯片约占行业70%利润，LED封装约占10%～20%，而LED应用大概也占10%～20%”，站在我国的角度看这是个错误的数据。据调查，封装行业和应用行业的利润在3%～10%之间，按照平均6%计算，2009年我国封装和应用的利润在48亿元左右，而2009年我国外延和芯片的总产值才23亿元，所以说LED外延片与芯片约占行业70%利润的说法是错误的。这个错误的数据使人们的投资拼命投向外延片和芯片产业。