目前，由于GaN基LED的质量和价格的原因，还只能是在特种照明上起作用。努力提高质量和降低价格，使之尽快进入普通照明，是一个最重要的任务。

　　近年来LED光源效率提高很快，过去6、7年间提高了4～5倍，同时成本也在不断下降，而且下降非常快，企业为规避风险在新一轮投资和扩产中应充分考虑这一发展趋势。

　　当前LED的主要技术问题是提高发光效率、降低光衰与降低成本。从前几年完成的技术指标情况看，半导体照明技术的发展，比原计划快得多。发光效率市场功率LED产品已达130lm/W。

　　当前采购成本高是绿色照明的主要障碍。对中国大陆LED产业发展，建议要让突破性新技术萌芽、成长，新技术不仅是大幅降低成本的手段，而且是自主创新的核心。

　　发光二极管(LED)的发明者Holonyak2000年在美国物理学会会刊J.P.S上以“发光二极管是灯的最终形式吗？”为题发表文章称：“原则上发光二极管是灯的最终形式，实际上也是如此，它的发展能够而且将继续到所有功率和颜色都实现为止，了解这一点极为重要。”10年过去了，这一观点正在得到印证。LED照明应用正在快速发展，技术也在不断取得突破。在9月9日召开的“第十二届全国LED产业研讨与学术会议”上，我们看到，我国LED工艺技术取得了快速进步，但同时，硬件设备正在成为发展瓶颈，特别是MOCVD(有机金属化学气相沉积)等核心设备正在制约产业的发展。

　　工艺技术进步快硬件设备待突破

　　“第十二届全国LED产业研讨与学术会议”近日在深圳召开，作为全国性重大学术会议，研讨会全面展示了LED全产业链的最新研究成果。从学术会议的报告中，我们感到，我国LED工艺技术确实进步较快，特别是硅衬底LED的快速进步，引来业界众多关注的目光。在LED工艺技术快速推进的同时，硬件设备却未见突破，核心装备特别是MOCVD设备正在成为产业发展瓶颈。由MOCVD设备引发的投资热潮，正在成为业界普遍关心的焦点问题。

　　自2003年国家启动半导体照明工程以来，我国半导体照明产业和技术取得显著进步，初步形成了上中下游比较完整的研发和产业体系，进入快速发展阶段。以企业为主体的LED制造技术进步较快，企业产业化线上完成的功率型芯片封装后光效达到80lm/W～100lm/W。具有自主知识产权的功率型Si衬底LED芯片封装后光效达到78lm/W，处于国际先进水平。