针对减弱大功率LED静电危害，外企发布最新研究成果
摘要： Samsung、Eudyna Devices和EpiValley三大公司，近日发布了关于减弱大功率LED静电危害的方法的最新研究成果。
4月16日，韩国三星在美国申请了两项应用专利，公布其开发出新的方法来改善ESD性能，即在结构层中使用过渡金属元素钇或钪，可以增加器件多量子阱下面的电子发射层的生长温度。
三星采用GaYN和GaScN层
使用GaYN/AlGaN或GaScN/AlGaN来代替InGaN，可使位于多量子阱下面的电子发射层的生长温度提升至1000℃或以上，这样晶体质量就会更好，使得LED可以具备更好地抵抗ESD的能力。GaYN/AlGaN或GaScN/AlGaN层具有更好的电流扩散效果，而且还有助于提高LED的抗ESD能力。
一般情况下，人们是采用氮化铟镓(InGaN)来制作电子发射层，但是铟(In)的沉积温度会超过1000℃，而采用GaYN/AlGaN或GaScN/AlGaN层来代替InGaN，In的生长温度则有可能会降到1000℃或以下。在提高了晶体质量的同时，电子发射层的带隙有助于提供好的电流扩散能力，可以降低LED的驱动电压和进一步提高LED的抗ESD电压能力。
欧司朗光电半导体LED应用工程经理Joachim Reill指出，以上方法有助于提高LED芯片的产量和可靠性，还可以简化LED封装工艺。目前，为了降低ESD对LED的危害，通常在LED封装时安装一个ESD二极管，如果以后芯片具有很强的抗ESD能力时，则无需使用这个ESD二极管了。(编辑：XGY)
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