电气过载(EOS)

　　毫秒级的静电所具有的能量可以造成金接触或氮化物层的融化这样大规模的破坏(如图所示)。在大多数情况下，这个现象可以通过在LED附近的焊垫(bond pad)被观测到。事实上，ESD与EOS之间的差异很难区分。

　　尽可能的减小二极管耗尽区的宽度能够获得更高的电容，与镁掺杂相比，在反向偏压(reverse bias)下，提高硅掺杂浓度可以降低LED的n型区中载流子耗尽区的宽度。在人体模式ESD测试中，具有低的硅掺杂浓度的LED在500V的反向偏压下，合格率只有27%。相对应的是，在具有高的硅掺杂浓度的LED在7000V的反向偏压下，合格率达到了94%。

　　4月16日，日本化合物半导体制造商Eudyna Devices公司在美国申请了一项应用专利，在通过衬底GaN LED外延层的地方，简单地增加了一个额外加热处理工艺，就提高了LED的ESD耐受能力。他们把量子阱有源区(MQW active region)加热到975℃，以改善其晶体质量。在随后的p型GaN层外延生长时，温度降低超过150℃，以确保掺杂的镁不会扩散到有源区。

　　Eudyna公司的研发团队声称，在高电压下能够扩展的晶体缺陷和污染了多量子阱区域的镁掺杂都会降低LED的ESD耐受能力。实际上，没有镁污染多量子阱和没有加热处理多量子阱的LED的耐ESD电压分别是500V和571V，而使用了上述专利中所描述的方法，LED的ESD耐受电压则可以提高到 3857V。